Сверхвысокочастотный диод смесительный, кремниевый планарно-эпитаксиальный с барьером Шоттки в металлостеклянном корпусе типа КД-1, предназначен для работы в диапазоне 0,3–18 ГГц.
Сверхвысокочастотный диод , арсенидо-галлиевый планарно-эпитаксиальный , смесительный с барьером Шоттки типа 3А112А в металлостеклянном корпусе типа КД-1-3 Предназначен для работы в гибридных интегральных схемах, микромодулях, узлах и блоках 3-х сантиметрового диапазона длин волн.
Сверхвысокочастотный диод , арсенидо-галлиевый планарно-эпитаксиальный , смесительный с барьером Шоттки типа АА112А в металлостеклянном корпусе типа КД-1-3 , предназначен для работы в гибридных интегральных схемах (ГИС) , микромодулях, узлах и блоках 3-х сантиметрового диапазона длин волн.
Скачать
