Бескорпусные кремниевые меза-эпитаксиальные с p-i-n структурой коммутационные полупроводниковые диоды. Предназначены для применения в составе гибридных интегральных микросхем 30 -400 МГц диапозона частот.
Кремниевые эпитаксиально-планарные коммутационные p-i-n диоды в металло-стеклянном корпусе, предназначенные для коммутации высокочастотных сигналов в диапазоне частот от 30 до 300 МГц.
Кремниевые эпитаксиально-планарные коммутационные p-i-n диоды в металло-стеклянном корпусе, предназначенные для коммутации высокочастотных сигналов в диапазоне частот от 30 до 300 МГц.
Скачать
