Диоды СВЧ типа 2А550А-5 бескорпусные кремниевые планарно-зпитаксиальные p+-n -n+ ограничительные, предназначенные для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах, микросборках и блоках в аппаратуре СВЧ диапазона 0,3-3,0 ГГц
Схема расположения выводов
Масса не более 0,001 г.
Основные электрические параметры
| Наименование параметра,(режим измерения),единица измерения | Буквенное обозначение | Норма | Температура, ºС | |
| Не менее | Не более | |||
| Пробивное напряжение при обратном токе 10 мкА, В | Uпроб | 100 | 25±10 | |
| Накопленный заряд при Iпр=10 мА, Uобр =10в, нКл |
Qнк | 0,3 0,2 0,4 |
1 1,5 1 |
25±10 135±5 -60±3 |
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=100 мА , В | Uпр | 0,85 | 1,1 | 25±10 |
| Сопротивление при низком значении СВЧ мощности (при нулевом смещении) Pсвч=1 мВт, F=4.3 ГГц ,Ом | rниз | 30 | 25±10 | |
| Емкость структуры при нулевом смещении f = 10 МГц, пФ |
Сстр 0 | 0,2 | 0,6 | 25±10 |
| Емкость структуры при обратном смещении U обр=80 В , f = 10 МГц, пФ |
Сстр | 0,1 | 0,5 | 25±10 |
| Просачивающаяся мощность в диапазоне входной мощности до 2,5 Вт , Вт | Pпрос | — | 0,8 | 25±10 |
П р и м е ч а н и я
1 Измерения и испытания проводятся в условном металлокерамическом корпусе КД 105.
2 Измерения проводятся на частоте 3 ± 10% ГГц в резонансной камере с 50-омной линией.