Диод 2А560А

Диоды полупроводниковые свервысокочастотные ограничительные кремниевые планарно-эпитаксиальные p+-n-n+ типа 2А560А в металло-керамическом корпусе, предназначенные для работы в защищенных устройствах диапазона частот 3-11 ГГц в аппаратуре специального назначения.


Масса не более 0,2 г

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ

Наименование параметра, единица
измерения, режим измерения
Буквенное обозначение Норма Температура, °С
Не менее Не более
Пробивное напряжение, В,
Iобр= 10 мкА
Uпроб 55 150 25±10
Эффективное время жизни неравно-
весных носителей заряда, нс
Iпр= 10 мА; Uобр= 10 В
τэфф 80 25±10
Нормируемое постоянное обратное
напряжение, В, Iобр≤ 5 мкА
Uнрм 50 25±10
Постоянное прямое напряжение, В
Iпр= 100 мА
Uпр 0,85
0,9
0,75
1,2
1,25
1,1
25±10
-60±3
125±3
Прямое сопротивление потерь, Ом
Iпр= 10 мА; f= 500 МГц
rпр 1,5 25±10
Общая емкость диода, пФ,
Uобр= 30 В
СД 0,30 0,45 25±10
Тепловое сопротивление,
переход-корпус диода,ºС/Вт
(односторонний теплоотвод)
RƟ пер-кор 30 25±10
Емкость корпуса, пФ Скор 0,21 0,25 25±10
Индуктивность диода, нГн  Lп 0,5 25±10
Время тепловой релаксации, мкс τт  20 25±10