Кремниевые эпитаксиально-планарные коммутационные p-i-n диоды в металло-стеклянном корпусе, предназначенные для коммутации высокочастотных сигналов в диапазоне частот от 30 до 300 МГц.
Масса диодов не более 0,3 г.
Основные электрические параметры
| Наименование параметра, (режим измерения ), единица измерения | Буквенное обозначение | Норма | |
| Не менее | Не более | ||
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=20 мА при температуре окружающей среды 25±10С °, В | Uпр | 1 | |
| Дифференциальное сопротивление при Iпр=10 мА и f=50 МГц, при температуре окружающей среды 25±10С °, Ом | rдиф | 1 | |
| Постоянный обратный ток (Uобр=24В),мкА При 25С °, При 100С °, При -60С ° |
Iобр | 0,5 10 0,5 |
|
| Общая емкость диода при Uобр=0 В , пФ | Сд | 1 | |