Оптроны транзисторные в металлостеклянном корпусе, состоящие из кремниевых планарно-эпитаксиальных n-p-n транзисторных приемников и меза-эпитаксиальных инфракрасного диодного излучателя на основе соединения GaAlAs, предназначенные для коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом в радиоэлектронной аппаратуре.
Масса оптрона не более 2 г.
Основные электрические параметры
| Наименование параметра, (режим измерения), единица измерения | Буквенное обозначение | Норма | |||
| 3ОТ126А АОТ126А |
3ОТ126Б АОТ126Б |
||||
| не менее | не более | не менее | не более | ||
| Входное напряжение (Iвх = 20мА), В | Uвх | 2 | 2 | ||
| Выходное остаточное напряжение (Iвх = 20мА, Iвых = 10мА), В | Uост | 0,3 | 0,3 | ||
| Ток утечки на выходе ( Iвх= 0мА,Uком = 30В ), мкА ( Iвх= 0мА,Uком = 15В ), мкА | Iут.вых Iут.вых |
10 | 10 | ||
| Сопротивление изоляции (Uиз = 500В), Ом | Rиз | 1011 | 1011 | ||
Примечание: измерение параметров, указанных в таблице, кроме Rиз, производится при внешнем резисторе R = 100 кОм между выводами 3, 5 оптопары.
Схема электрическая принципиальная
