Оптопара транзисторная в керамическом корпусе, состоит из кремниевого эпитаксиально-планарного транзисторного приёмника и эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя, предназначены для осуществления внутриблочной и межблочной высоковольтной изоляции в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
| Наименование параметра, (режим измерения), единица измерения | Буквенное обозначение | Норма | Температура oС | |
| не менее | не более | |||
| Входное напряжение при( Iвх= 10 мА ), В | Uвх | 2,2 | 25 85 |
|
| Выходное остаточное напряжение при (Iвх= 10 мА Iвых= 7 мА, R = 100 кОм Iвых= 5 мА, R = 100 кОм | Uвых.ост Uвых.ост |
0,4 0,4 |
25 85 |
|
Схема электрическая принципиальная
