2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б

Сверхвысокочастотные диоды переключательные, кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой в металлокерамическом корпусе типа КД-105, предназначенные для работы в коммутационных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов волн.

Масса диодов не более 1,3 г.

Основные электрические параметры

Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Буквенное обозначение Норма
2А509А
КА509А
2А509Б
КА509Б
не менее не более не менее не более
Пробивное напряжение при импульсном обратном токе с амплитудой 10мА и частотой следования 5±1 кГц, длительность импульса 3±2 мкс на уровне 0,5 от амплитуды, В Uпроб 200 200
Критическая частота при Iпр = 25 мА, Uобр= 100 В, ГГц fкр 150 150
Накопленный заряд при Iпр = 25 мА, нКл Qнк 25 25
Прямое сопротивление потерь диода при Iпр = 25 мА, Ом rпр 1,5 1,5
Общая ёмкость диода при Uобр= 100 В, пФ Cд 0,9 1,2 0,7 1,0
Ёмкость корпуса, пФ Cкор 0,3 0,45 0,3 0,45

Схема расположения выводов

2А509 КА509
Тип диода Маркировочная точка Тип диода Маркировочная чёрточка
2А509А одна красная КА509А красная
2А509Б одна синяя КА509Б синяя