3А112А, 3А112АР, 3А112АЧ

Сверхвысокочастотный диод, арсенидо-галлиевый планарно-эпитаксиальный, смесительный с барьером Шоттки типа 3А112А в металлостеклянном корпусе типа КД-1-3 Предназначен для работы в гибридных интегральных схемах, микромодулях, узлах и блоках 3-х сантиметрового диапазона длин волн.

Масса диодов не более 0,035 г.

Основные электрические параметры

Наименование параметра, (режим измерения), единица измерения Буквенное обозначение Норма Температура °С
Не менее Не более
Потери преобразования, (Rм=400 Ом, Rн=100 Ом, Р=3 мВт,  λ=3,2±0,06 см), дБ L прб 6,0
7,5
7,5
25±10
-60±3
125±5
Нормированный коэффициент шума (Rн=100Ом, Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см) F норм 7,0 25±10
Выходное сопротивление(Rн=100 Ом, Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см), Ом rвых 300 550 25±10
Коэффициент стоячей волны по напряжению (Rн=100Ом ,Р=3 мВт, λ=3,2±0,06  см) КСВ 1,8 25±10
Выпрямленный ток  Rн=100Ом ,Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см) Iвп 1,0 2,5 25±10