АА112А, АА112Б

Сверхвысокочастотный диод, арсенидо-галлиевый планарно-эпитаксиальный, смесительный с барьером Шоттки типа АА112А в металлостеклянном корпусе типа КД-1-3, предназначен для работы в гибридных интегральных схемах (ГИС), микромодулях, узлах и блоках 3-х сантиметрового диапазона длин волн.

Масса диодов не более 0,035 г.

Основные электрические параметры

Наименование параметра, (режим измерения) , единица измерения Буквенное обозначение Норма Температура °С
Не менее Не более
Потери преобразования , (Rм=400 Ом, Rн=100 Ом ,Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см), дБ L прб 6,0
7,5
7,5
25±10
-60±5
100±5
Нормированный коэффициент шума (Rн=100Ом , Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см) F норм 7,0 25±10
Выходное сопротивление (Rн=100 Ом ,Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см) , Ом rвых 440 640 25±10
Коэффициент стоячей волны по напряжению (Rн=100Ом ,Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см)
АА112А
АА112Б
КСВ 1,3
1,8
25±10
Выпрямленный ток Rн=100Ом ,Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см) Iвп 1,0 2,5 25±10